测井曲线缩写完整表

测井曲线缩写完整表

缩写全称类别别名/等效缩写功能
AC声波时差(Acoustic)孔隙度测井DT通过声波传播时间计算孔隙度,识别裂缝/气层
C1/C2井径1/井径2井径测量-多臂井径仪测量不同方向的井径,判断井眼不规则性
CALI井径(Caliper)井径测量CAL测量井眼直径,校正其他测井曲线
CNL补偿中子测井(Compensated Neutron)孔隙度测井CN反映含氢指数,计算孔隙度,区分气层(低值)与油/水层
DEN补偿密度测井(Density)孔隙度测井ZDL, RHOB测量地层体积密度,结合中子曲线识别岩性
DRHO密度校正值(Density Correction)孔隙度测井-补偿密度测井的井眼校正参数
DT声波时差(同AC)孔隙度测井AC与AC相同,部分仪器命名为DT
GR自然伽马(Gamma Ray)岩性识别-反映地层放射性,划分岩性(泥岩高值),计算泥质含量(Vsh)
ILD深感应电阻率(Deep Induction)电阻率测井ResD深探测电阻率,反映原状地层电阻率(Rt)
ILM中感应电阻率(Medium Induction)电阻率测井ResM中探测电阻率,反映侵入带电阻率(Ri)
LLD深侧向电阻率(Deep Laterolog)电阻率测井-侧向测井的深探测电阻率(Rt)
LLS浅侧向电阻率(Shallow Laterolog)电阻率测井-侧向测井的浅探测电阻率(Ri)
MSFL微球形聚焦测井(Micro Spherically Focused)电阻率测井SFLU, ResS测量冲洗带电阻率(Rxo),分析侵入特征
PE光电吸收截面指数(Photoelectric)岩性识别PEF识别岩性(如灰岩、白云岩)
PHID密度孔隙度(Density Porosity)孔隙度参数-基于密度曲线计算的孔隙度
PHIN中子孔隙度(Neutron Porosity)孔隙度参数-基于中子曲线计算的孔隙度
PHIS声波孔隙度(Sonic Porosity)孔隙度参数-基于声波时差(AC/DT)计算的孔隙度
PHOB体积密度(Bulk Density)孔隙度测井DEN, RHOB可能为区域命名习惯,标准缩写为DEN
R11米底部梯度电阻率电阻率测井-浅探测电阻率(梯度电极系),反映侵入带特征
RT4米底部梯度电阻率电阻率测井-深探测电阻率(梯度电极系),反映原状地层电阻率
RXO冲洗带电阻率(Flushed Zone)电阻率测井-结合深/浅电阻率分析侵入程度,计算含油饱和度
ResD深感应电阻率(同ILD)电阻率测井ILDSchlumberger仪器命名
ResM中感应电阻率(同ILM)电阻率测井ILMSchlumberger仪器命名
ResS球形聚焦电阻率(同SFLU)电阻率测井SFLU, MSFLSchlumberger仪器命名
SFLU球型聚焦电阻率电阻率测井MSFL, ResS测量冲洗带电阻率(Rxo)
SP自然电位(Spontaneous Potential)岩性识别-划分渗透层(如砂岩),判断地层水电阻率(Rw)
Vsh泥质含量(Shale Volume)地层参数-基于GR或SP曲线计算,公式:$ V_{sh} = \frac{GR - GR_{min}}{GR_{max} - GR_{min}} $
SW含水饱和度(Water Saturation)地层参数-阿尔奇公式计算:$ S_w = \sqrt{\frac{a \cdot R_w}{\phi^m \cdot R_t}} $

特殊测井技术缩写

缩写全称功能
FMI全井眼微电阻率成像(Fullbore Formation Micro Imager)高分辨率成像,识别裂缝、层理、沉积构造
RFT重复式地层测试(Repeat Formation Tester)直接测量地层压力及获取流体样品
CMR核磁共振测井(Combinable Magnetic Resonance)测量孔隙结构、流体类型(自由流体体积、束缚水饱和度等)

命名差异说明

  1. 厂商差异

    • Schlumberger常用ILD/ILM/SFLU,而ResD/ResM/ResS可能出现在其他厂商数据中。
    • PHOB可能为区域命名,标准名称为DENRHOB
  2. 历史术语

    • R1/RT属于传统梯度电极系测井(如国产JD系列),现代测井中多被侧向/感应测井替代。
  3. 单位与计算

    • 孔隙度参数(PHID/PHIN/PHIS)需注意单位(%或v/v)及岩性校正。

应用建议

  1. 多数据对比:结合岩心数据、试油结果验证测井参数准确性。
  2. 图头检查:不同测井文件的曲线命名可能差异较大,需参考测井图头(Log Header)定义。
  3. 侵入分析:利用LLD/LLSILD/ILMRXO(或MSFL)分析侵入特征(深、浅、冲洗带电阻率差异)。